Transistor Working in Tamil Transistor எவ்வாறு வேலை செய்கிறது.

Transistor Working in Tamil:

பல்வேறு வகை டிரான்சிஸ்டர்கள் சந்தையில் கிடைக்கின்றன, ஆனால் புரிந்து கொள்வதற்காக, நாம் NPN டிரான்சிஸ்டர் ஒன்றை common emitter configuration முறையில் இருப்பதாக கருதுவோம். இதற்காக நாம் npn transistor எவ்வாறு உருவாக்கப்படுகிறது என்று பாப்போம். NPN transistor இல் emitter பகுதி அதிக அளவில் doping செய்யபடுகிறது, இதனால் emitter இல் இலவச எலக்ட்ரான்கள் (free electron கள்) (majority கேரியர்கள்) எண்ணிக்கை இங்கு அதிகம். அடுத்தப்படியாக கலெக்டர் (collector) பகுதி பரந்த அளவில் உள்ளது, ஆனால் மிக குறைந்த அளவில் doping செய்யபடுகிறது. எனவே free எலக்ட்ரான்கள் எண்ணிக்கை emitter பகுதியை விட மிக குறைவாக தான் இருக்கும் மற்றும் இதன் ப்ரந்தித்யம் மற்ற emitter மற்றும் base ஐ விட மிக அதிகள். அடுத்தபடியாக base பகுதியை உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பான் பிராந்தியத்துடன் ஒப்பிடும்போது இவற்றில் மிக மிக குறைந்த அளவில் doping செய்யப்படுகிறது அதைபோன்று இதன் பகுதி மிகவும் மெல்லியதாக இருக்கிறது, இதனுடைய அளவு micro மீட்டர்இல் குறிப்பிடப்படுகிறது. எனவே துளைகள் எண்ணிக்கை (பெரும்பான்மை கேரியர்கள்) இங்கு மிகவும் குறைவாகதான் உள்ளது.

இப்போது நாம் ​​உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பான் இடையே ஒரு பேட்டரியை இணைக்கிறோம். டிரான்சிஸ்டரின் உமிழும் முனையம் பேட்டரியின் எதிர்மறை முனையுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது. எனவே emitter-base juntion forward bias ஆகவும், collector-base junction reverse bias ஆகவும் செயல்படுகிறது. இந்த நிலையில், transistor வழியே எந்த மின்னோட்டமும் பாய்வது இல்லை.  இந்த நிலையில், டிரான்சிஸ்டர் எந்த வகையிலும் செயல்படாது, உமிழ்ப்பான் (emitter) மற்றும் சேகரிப்பான் (collector) இடையே நாம் apply செய்யும் முழு மின்னழுத்தம் இரண்டு இடங்களில் drop ஆகிறது. ஒன்று emitter-base junction forward barrier மற்றும் reverse barrier என்று சொல்லப்படுகின்ற collector-base junction. இவற்றில் emitter-base இல் ௦.7 voltsம், collector-base junction இல் V-௦.7 volts ம் drop ஆகின்றன.

Also Know About:   What in Conductor In Tamil கடத்தி என்றால் என்ன?
Get More Electrical Concept And Interview Questions By Using This Link

Note: சிலிகான் semiconductor களுக்கு ௦.7volts ம், germanium semiconductor களுக்கு ௦.3 volts ம் பயன்படுத்தப்படுகிறது. அதாவது, நாம் சிலிகான் semiconductor களுக்கு ௦.7 volts மேலே கொடுத்தால் தான் அதில் உள்ள electron பாயஆரம்பிக்கிறது, அதற்கு குறைவாக கொடுக்கும் போது இது insulator ஆக வேலை செய்கிறது.

இப்போது நாம் ஒரு batteryயின் positive terminal ஐ base உடனும், negative terminal ஐ emitter உடனும் இணைப்போம். இப்போது base பகுதியில் hole களின் எண்ணிக்கை அதிகமாக இருப்பதால் இதன்னுடன் இணைவதற்கு emitter இல் உள்ள electrons கள் forward barrier பகுதியை கடந்து வருகின்றன. இதன் அளவு மிக அதிகமாக இருக்கும். ஆனால் எல்லா electronகளும் base இல் உள்ள holes உடன் இணைவது இல்லை மற்றும் இவைகள் இணைவதற்கு உரிய அளவான time கிடைப்பதில்லை, எனவே அதிகப்படியான free electron கள் base region ஐ கடந்து collector regionக்குள் வருகின்றன. இவ்வாராக தொடர்ந்து நடை பெறுவதன் மூலம் transistor மின்னோட்டத்தை கடத்துகிறது.

இதைப்போன்று, transistor இல் பாயும் currentஇன் அளவு, அதில் கொடுக்கப்படுகின்ற base voltage ஐ சார்ந்தது, அதாவது நாம் அதிக அளவில், கொடுக்கும் போது transistor அதிக அளவில் மின்னோடத்தை கடத்துகிறது.

Note: இப்போது உங்களுக்கு forward barrier ஐ கடக்க ௦.7 volts தேவை என்கின்ற சந்தேகங்கள் வரலாம், எனவே, இதுக்கு நாம் முதலே apply செய்த emitter- collector voltage பயன்படுகிறது.

Also Know About:   What is Transistor Biasing In Tamil Biasing என்றால் என்ன?

Video Explanation Working In Tamil

LEAVE A REPLY

Please enter your comment!
Please enter your name here